· PN 结特性:二极管由 P 型半导体(空穴为主)和 N 型半导体(电子为主)形成 PN 结,当正向电压(P 区接正、N 区接负)超过阈值(硅管约 0.7V)时,PN 结变窄,载流子(电子与空穴)复合导通,电流通过;反向电压时 PN 结变宽,仅产生纳安级漏电流(截止状态)。
· 典型应用器件:
· 高压硅堆:串联多个二极管(如 10 个 1N4007)提升反向耐压至 1000V 以上,适用于埋地管道等高压场景;
· 肖特基二极管:正向压降仅 0.3V~0.5V(如 MBR3060),适合对排流效率要求高的轨道交通场景,减少能量损耗。
· 三层结构与触发条件:可控硅由 PNPN 四层半导体组成,正常状态下呈高阻截止,当门极(G 极)施加正向触发电压(如 0.5V~1V)且阳极(A 极)电位高于阴极(K 极)时,器件导通,电流可达到数百安培;触发后即使撤去门极电压,仍保持导通,直至电流小于维持电流(约 10mA)才关断。
· 智能排流优势:通过设定门极触发阈值(如金属结构电位>0.3V 时导通),可动态适应杂散电流波动,避免传统二极管固定阈值下的 “误排流” 或 “排流滞后”。
· 前端采样电路:通过高精度分压电阻(误差≤0.1%)实时采集金属结构与接地极之间的电位差(ΔV),采样频率可达 10kHz,确保捕捉瞬态电位波动(如列车通过时钢轨电位骤升)。
· 状态逻辑判断:
· 当 ΔV>+0.2V(正向偏压):判定为杂散电流需排出,触发导通机制;
· 当 ΔV<-0.1V(反向偏压):判定为阴极保护电位或干扰电流逆流,启动截止保护。
·
· 排流效率优化:
· 采用多组二极管并联(如 4 组 10A 二极管并联)提升载流能力,同时降低导通电阻(<50mΩ),减少排流时的电压损耗;
· 可控硅排流器通过 PWM(脉宽调制)技术调节导通时间,在交直流混合干扰下实现 “按需排流”,避免过度泄放保护电流。
· 瞬态过压防护:
· 并联压敏电阻(MOV):当电压超过额定值(如 1.2kV)时,MOV 阻值骤降(从 MΩ 级降至 Ω 级),将过电压钳位至安全范围(如 800V),保护二极管不被击穿;
· 气体放电管(GDT):响应时间<1ns,适用于雷击等高频过电压场景,放电后自动恢复高阻状态。
· 过流保护设计:
· 串联快速熔断器(额定电流 1.5 倍于排流器额定值),当持续过流(如接地极短路)时熔断,切断故障回路;
· 热继电器监测器件温度(阈值 85℃),超温时触发风扇散热或切断电源,防止二极管因高温失效(硅管结温>150℃时永久损坏)。
· 场景案例:地铁牵引回流系统中,钢轨因接触网供电不平衡产生 + 0.1V~+5V 直流杂散电流,排流器二极管持续导通,将电流导入隧道接地网,避免电流通过道床钢筋流向土壤,造成结构腐蚀。
· 工频干扰防护:
· 当 50Hz 交流干扰电压(如高压电缆感应)叠加在金属结构上时,排流器在交流正半周导通排流,负半周截止,但长期交变电流可能导致二极管发热(需选用低正向压降器件);
· 搭配 LC 滤波电路(电感 100μH + 电容 10μF),衰减 100kHz 以下交流分量,降低器件损耗。
· 高频瞬态干扰处理:
· 雷击浪涌(1.2/50μs 波形)作用时,排流器先通过 GDT 泄放大部分能量(<10kA),剩余残压由 MOV 进一步钳位,确保二极管两端电压<额定击穿值。
故障类型 |
触发条件 |
工作机制响应 |
二极管老化 |
长期大电流导致 PN 结特性漂移,正向压降>1V |
内置温度 - 电压传感器检测压降异常,通过 RS485 发送预警信号,备用二极管组自动切入(冗余设计场景)。 |
接地极电位异常 |
土壤干燥导致接地电阻升高,反向电压>500V |
可控硅门极触发阈值自动提升至 0.5V,减少反向截止时的漏电流;同时启动接地极浇水降阻联动(智能排流系统)。 |
连接线腐蚀 |
潮湿环境下端子氧化,接触电阻>1Ω |
实时监测排流回路电流,当电流骤降>30% 时判定为线路故障,发出声光报警并定位故障点(如通过分布式电位传感器)。 |
· 当金属结构处于阴极保护状态(电位 - 0.85V~-1.5V CSE)时,排流器反向截止,防止保护电流通过排流器流失;若出现正向杂散电流干扰(如附近直流电焊机漏电导致电位升至 + 0.3V),排流器立即导通排流,不影响阴极保护效果。
·
动态阈值调节:通过 PID 算法(比例 - 积分 - 微分控制),根据阴极保护电位实时调整排流器触发阈值(如电位越负,触发阈值越高),平衡排流需求与保护效果。
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极性排流器发展现状 从二极管到智能型排流系统的技术演进· 早期二极管型极性排流器:早期的极性排流器主要基于二极管的单向导电性原理。以肖特基二极管为例,它是以贵金属为正极,N 型半导体为负极,利用接触面形成的势垒具有的整流特性制成。当金属结构电位高于大地或排流系统电位时,二极管导通,杂散电流流向排流系统;电位低于时,二极管截止,防止反向电流腐蚀2。这种排流器结构简单、成本较低,能基本实现单向排流功能,但存在一些局限性,如阈值电压相对较高,导通电压降在 0.3 - 0.4V 左右,排流效率有待提高,且对电位波动的响应速度相对较慢,无法适应复杂多变的杂散电流环境。
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